陶瓷产品
TaC 涂层
极高热稳定性和耐化学性
Momentive Technologies 独特的碳化物涂层为严苛的半导体和化合物半导体材料加工中的石墨提供卓越的保护。 其作用是延长石墨部件的使用寿命、维持反应化学计量并抑制杂质向外延层和晶体生长应用的迁移，从而提高良率和质量效益。
特性和优点
- 在 2000°C 以上具有温度稳定性，可在极端高温下运行
- 耐氢 (H2)、氨气 (NH3)、甲硅烷 (SiH4) 和硅 (Si)，可在严苛的化学环境中提供保护
- 其抗热震性可加快操作周期
- 石墨附着力强，确保较长的使用寿命且不会出现涂层分层现象
- 具有超高纯度，可消除不必要的杂质或污染物
- 保形涂层覆盖性可达到严格的尺寸公差
我们的碳化钽 (TaC) 和碳化铌 (NbC) 涂层可在高温（最高 2200°C）下保护关键熔炉和反应器部件，以抵抗热氨、氢和硅蒸气以及熔融金属。 凭借广泛的石墨加工和测量能力，Momentive Technologies 可提供收费涂层服务或全方位涂层服务，以满足您的定制要求，我们的专家工程师团队可随时帮助您设计适合您和您的特定应用的解决方案。
TaC 涂层与纯化研究级石墨的比较
| B | N | O | Si | S | Cl | Nb | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TaC |
< 0.01 |
15 |
40 |
< 0.01 |
< 0.01 |
14 |
14 |
|
石墨 |
1 |
480 |
260 |
2 |
5 |
2 |
< 0.01 |
典型值。
采用 TaC 涂层石墨坩埚与普通石墨坩埚生长的碳化硅 (SiC) 晶圆的电学特性比较
| 密度 (gm/cm3) | 辐射率 | 热膨胀系数（×10-6/K） | 硬度 (HK) | 电阻率 (Ohm-cm) | 热稳定性 | 厚度偏差 | 石墨尺寸变化 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TaC |
14.3 |
0.3 |
6.3 |
2000 |
1×10-5 |
> 2200°C |
-5% |
-17 µm |
典型值。
TaC 涂层的典型物理特性
| 体积浓度 | 体积电阻率 | 流动性 | |
|---|---|---|---|
|
TaC |
8 x 1015/cm |
4.5 ohm-cm |
237 cm2/Vs |
|
石墨 |
5 x 1017/cm |
0.1 ohm-cm |
151 cm2/Vs |
典型值。
TaC 与SiC
| 密度 (gm/cm3) | 辐射率 | 热膨胀系数（×10-6/K） | 硬度 (HK) | 电阻率 (Ohm-cm) | 热稳定性 | NH3 中的蚀刻率 (µm/hr) | H2 中的蚀刻率 (µm/hr) | 厚度偏差 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TaC |
14.3 |
0.3 |
6.3 |
2000 |
1×10-5 |
> 2200°C |
0.2 |
0.1 |
-5% |
|
SiC |
3.2 |
0.8 |
4.5 |
2800 |
2×10-3 |
< 1600°C |
1.5 |
1.7 |
-10% |
典型值。
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潜在应用
- 氮化镓 (GaN) 和碳化硅外延 CVD 反应器部件，包括晶圆载具、卫星盘、喷头、吊顶和感受器
- 碳化硅、氮化镓和氮化铝 (AlN) 晶体生长部件，包括坩埚、籽晶夹持器、导向环和过滤器
- 工业部件，包括电阻加热元件、注射喷嘴、遮蔽环和钎焊夹具
